VLS2010ET-2R2M

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VLS2010ET-2R2M概述

VLS2010E 系列磁性屏蔽线绕电感器VLS2010E 系列具有高磁性屏蔽结构且与高密度安装兼容薄型产品系列,具有最大 0.8mm、0.95mm、1.0mm、1.2mm 和 1.5mm 的高度,因此可用于不同用途 应用包括:智能手机、平板电脑终端、HDD、SSD、DVC、DSC、移动显示面板、便携式游戏设备和紧凑型电源模块 ### TDK 非标准 SMT 电感器(扼流圈)

VLS2010E 系列磁性屏蔽线绕器

VLS2010E 系列具有高磁性屏蔽结构且与高密度安装兼容

薄型产品系列,具有最大 0.8mm、0.95mm、1.0mm、1.2mm 和 1.5mm 的高度,因此可用于不同用途

应用包括:智能手机、平板电脑终端、HDD、SSD、DVC、DSC、移动显示面板、便携式游戏设备和紧凑型电源模块


得捷:
FIXED IND 2.2UH 1A 228 MOHM SMD


立创商城:
2.2uH ±20% 1A 228mΩ


欧时:
### VLS2010E 系列磁性屏蔽线绕电感器VLS2010E 系列具有高磁性屏蔽结构且与高密度安装兼容薄型产品系列,具有最大 0.8mm、0.95mm、1.0mm、1.2mm 和 1.5mm 的高度,因此可用于不同用途 应用包括:智能手机、平板电脑终端、HDD、SSD、DVC、DSC、移动显示面板、便携式游戏设备和紧凑型电源模块 ### TDK 非标准 SMT 电感器(扼流圈)


艾睿:
Inductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 228mOhm DCR T/R


安富利:
Ind Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz 1.05A T/R


儒卓力:
**VLS2010ET 2,2uH 1A 20% WWT **


Win Source:
FIXED IND 2.2UH 1A 228 MOHM SMD


VLS2010ET-2R2M中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1 A

容差 ±20 %

电感 2.2 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) ≤228 mΩ

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.228 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 5025

封装 2010

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 1 mm

封装公制 5025

封装 2010

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VLS2010ET-2R2M
型号: VLS2010ET-2R2M
制造商: TDK 东电化
描述:VLS2010E 系列磁性屏蔽线绕电感器 VLS2010E 系列具有高磁性屏蔽结构且与高密度安装兼容 薄型产品系列,具有最大 0.8mm、0.95mm、1.0mm、1.2mm 和 1.5mm 的高度,因此可用于不同用途 应用包括:智能手机、平板电脑终端、HDD、SSD、DVC、DSC、移动显示面板、便携式游戏设备和紧凑型电源模块 ### TDK 非标准 SMT 电感器(扼流圈)

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