VDZT2R8.2B参数规格_中文资料_数据手册PDF

VDZT2R8.2B概述

VMD 8.19V 0.1W1/10W

Zener Diode 8.2V 100mW ±2% Surface Mount VMD2

得捷:
DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2

安富利:
Diode Zener Single 8.19V 2% 100mW 2-Pin VMD T/R

Chip1Stop:
Diode Zener Single 8.19V 2% 100mW 2-Pin VMD T/R

儒卓力:
**Z-DIODE 0,1W 8.2V 2% VMD2 **

Win Source:
DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2

VDZT2R8.2B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 8.20 V

容差 ±2 %

额定功率 100 mW

耗散功率 100 mW

测试电流 5 mA

稳压值 8.19 V

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 VMD-2

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.6 mm

高度 0.5 mm

封装 VMD-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VDZT2R8.2B引脚图与封装图

在线购买VDZT2R8.2B

型号： VDZT2R8.2B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：VMD 8.19V 0.1W1/10W