VDZT2R6.8B

VDZT2R6.8B图片1
VDZT2R6.8B图片2
VDZT2R6.8B图片3
VDZT2R6.8B图片4
VDZT2R6.8B图片5
VDZT2R6.8B图片6
VDZT2R6.8B图片7
VDZT2R6.8B图片8
VDZT2R6.8B图片9
VDZT2R6.8B图片10
VDZT2R6.8B图片11
VDZT2R6.8B图片12
VDZT2R6.8B概述

VDZ6.8B 系列 6.8 V 100 mW 表面贴装 齐纳二极管-VMD-2

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 6.65V \---|--- 平均Typ.| 6.8V 最大max.| 6.93V 误差Tolerance| 2% 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 40Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.5uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| Silicon Epitaxial Planer Ultra small mold type VMD2. High reliability. Zener diode 描述与应用| 硅外延刨床 超小型模具类型(VMD2)的。 高可靠性。 齐纳


得捷:
DIODE ZENER 6.8V 100MW VMD2


立创商城:
100mW


艾睿:
Diode Zener Single 6.8V 2% 100mW 2-Pin VMD T/R


安富利:
Diode Zener Single 6.79V 2% 100mW 2-Pin VMD T/R


富昌:
VDZ6.8B 系列 6.8 V 100 mW 表面贴装 齐纳二极管-VMD-2


Chip1Stop:
Diode Zener Single 6.79V 2% 100mW 2-Pin VMD T/R


Verical:
Zener Diode Single 6.8V 2% 40Ohm 100mW 2-Pin VMD T/R


Win Source:
DIODE ZENER 6.8V 100MW VMD2


VDZT2R6.8B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.80 V

容差 ±2 %

额定功率 100 mW

耗散功率 100 mW

测试电流 5 mA

稳压值 6.8 V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMD-2

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.6 mm

高度 0.5 mm

封装 SMD-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VDZT2R6.8B引脚图与封装图
VDZT2R6.8B引脚图
VDZT2R6.8B封装图
VDZT2R6.8B封装焊盘图
在线购买VDZT2R6.8B
型号: VDZT2R6.8B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:VDZ6.8B 系列 6.8 V 100 mW 表面贴装 齐纳二极管-VMD-2
替代型号VDZT2R6.8B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VDZT2R6.8B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

CDZT2R6.8B

罗姆半导体

功能相似

VDZT2R6.8B和CDZT2R6.8B的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司