VDZT2R10B参数规格_中文资料_数据手册PDF

VDZT2R10B概述

VMD 9.99V 0.1W1/10W

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 VMD2

得捷:
DIODE ZENER 10V 100MW VMD2

贸泽:
Zener Diodes 100MW 10V

艾睿:
Diode Zener Single 10V 2% 100mW 2-Pin VMD T/R

安富利:
Diode Zener Single 9.99V 2% 100mW 2-Pin VMD T/R

Chip1Stop:
Diode Zener Single 9.99V 2% 100mW 2-Pin VMD T/R

Verical:
Zener Diode Single 10V 2% 30Ohm 100mW 2-Pin VMD T/R

Win Source:
DIODE ZENER 10V 100MW VMD2

VDZT2R10B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 10.0 V

容差 ±2 %

额定功率 100 mW

耗散功率 100 mW

测试电流 5 mA

稳压值 10 V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 VMD-2

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.6 mm

高度 0.5 mm

封装 VMD-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

VDZT2R10B引脚图与封装图

在线购买VDZT2R10B

型号： VDZT2R10B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：VMD 9.99V 0.1W1/10W

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替代型号VDZT2R10B

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CDZT2R10B 罗姆半导体	类似代替	VDZT2R10B和CDZT2R10B的区别

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