VDZT2R9.1B参数规格_中文资料_数据手册PDF

VDZT2R9.1B概述

VMD 9.04V 0.1W1/10W

Diode Zener Single 9.04V 2% 100mW 2-Pin VMD T/R

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VDZT2R9.1B

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DIODE ZENER 9.1V 100MW VMD2

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DIODE ZENER 9.1V 100MW VMD2

VDZT2R9.1B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 9.10 V

容差 ±2 %

额定功率 100 mW

耗散功率 100 mW

测试电流 5 mA

稳压值 9.04 V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VMD-2

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.6 mm

高度 0.5 mm

封装 VMD-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买VDZT2R9.1B

型号： VDZT2R9.1B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：VMD 9.04V 0.1W1/10W

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