VDZT2R13B

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VDZT2R13B概述

硅外延刨床超小型模具类型(VMD2)的。高可靠性。齐纳二极管

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 12.91V

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平均Typ.| 13V

最大max.| 13.49V

误差Tolerance| 2%

最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 37Ω/ohm

最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.1uA

最大耗散功率PdPower dissipation| 100mW/0.1W

Description & Applications| Silicon Epitaxial Planer Ultra small mold type VMD2. High reliability. Zener diode

描述与应用| 硅外延刨床 超小型模具类型(VMD2)的。 高可靠性。 齐纳

VDZT2R13B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 13.0 V

容差 ±2 %

额定功率 100 mW

耗散功率 100 mW

测试电流 5 mA

稳压值 13.2 V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMD-2

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.6 mm

高度 0.5 mm

封装 SMD-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买VDZT2R13B
型号: VDZT2R13B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:硅外延刨床超小型模具类型(VMD2)的。高可靠性。齐纳二极管
替代型号VDZT2R13B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VDZT2R13B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

CDZT2R13B

罗姆半导体

功能相似

VDZT2R13B和CDZT2R13B的区别

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