双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 120 hFE, VMT
Bipolar BJT Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount VMT6
得捷:
TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT
e络盟:
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 120 hFE, VMT
艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6-Pin VMT T/R
额定功率 0.15 W
针脚数 6
极性 NPN+PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
封装 SMD-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VT6Z2T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VT6T2T2R 罗姆半导体 | 类似代替 | VT6Z2T2R和VT6T2T2R的区别 |
VT6X12T2R 罗姆半导体 | 类似代替 | VT6Z2T2R和VT6X12T2R的区别 |
VT6X2T2R 罗姆半导体 | 功能相似 | VT6Z2T2R和VT6X2T2R的区别 |