VT6X1T2R概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TR NPNX2 20V VCEO
Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 20V 200mA 400MHz 150mW Surface Mount VMT6
得捷:
TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TR NPNX2 20V VCEO
艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 0.2A 6-Pin VMT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 0.2A 6-Pin VMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 20V 0.2A 6-Pin VMT T/R
VT6X1T2R中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 VMT-6
外形尺寸
封装 VMT-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买VT6X1T2R