V62/04651-02UE

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V62/04651-02UE中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

耗散功率 725 mW

输入补偿漂移 500 nV/K

带宽 187 kHz

转换速率 120 mV/μs

增益频宽积 0.2 MHz

增益带宽 0.2 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 70 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买V62/04651-02UE
型号: V62/04651-02UE
制造商: TI 德州仪器
描述:中晚期原发性肝癌LinCMOSâ ?? ¢ RAIL- TO -RAIL极低功耗OPERATIOPNAL放大器 Advanved LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY-LOW-POWER OPERATIOPNAL AMPLIFIERS
替代型号V62/04651-02UE
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

V62/04651-02UE

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当前型号

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