VQ1004P

VQ1004P图片1
VQ1004P中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 3.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 460 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 14

封装 DIP

外形尺寸

封装 DIP

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: VQ1004P
描述:N通道60 -V ( D- S)单和四的MOSFET N-Channel 60-V D-S Single and Quad MOSFETs

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