小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
N-Channel 240V 200mA Ta 350mW Tc Through Hole TO-92-3
得捷:
MOSFET N-CH 240V 200MA TO92-3
力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
额定电压DC 240 V
额定电流 200 mA
漏源极电阻 10.0 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350mW Tc
输入电容 125 pF
漏源极电压Vds 240 V
漏源击穿电压 240 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 125pF @25VVds
耗散功率Max 350mW Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VN2410LZL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
VN2410L-G 微芯 | 功能相似 | VN2410LZL1G和VN2410L-G的区别 |
TN5325K1-G 超科 | 功能相似 | VN2410LZL1G和TN5325K1-G的区别 |