VT6J1T2CR

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VT6J1T2CR概述

VMT P-CH 20V 0.1A

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 100mA 120mW 表面贴装型 VMT6


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VT6J1T2CR


得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6


贸泽:
MOSFET 1.2V Drive Pch+Pch MOSFET


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V ±0.1A 6-Pin VMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 6-Pin VMT T/R


VT6J1T2CR中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 150 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.1A

上升时间 62 ns

输入电容Ciss 15pF @10VVds

额定功率Max 120 mW

下降时间 137 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VMT-6

外形尺寸

封装 VMT-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

VT6J1T2CR引脚图与封装图
VT6J1T2CR引脚图
VT6J1T2CR封装图
VT6J1T2CR封装焊盘图
在线购买VT6J1T2CR
型号: VT6J1T2CR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:VMT P-CH 20V 0.1A

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