VND920-E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

VND920-E图片1

VND920-E图片2

VND920-E图片3

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VND920-E图片5

VND920-E概述

IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 28-SOIC

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 30A 28-SO

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 28SO

艾睿:
Double channel high-side current limit

安富利:
Power Switch Hi Side 30A 28-Pin SO Tube

VND920-E中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 2

供电电流 5 mA

耗散功率 6250 mW

输出电流Max 30 A

输出电流Min 30 A

耗散功率Max 6250 mW

封装参数

引脚数 28

封装 SOIC-28

外形尺寸

封装 SOIC-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VND920-E引脚图与封装图

VND920-E引脚图

VND920-E封装图

VND920-E封装焊盘图

在线购买VND920-E

型号： VND920-E

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 28-SOIC

替代型号VND920-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VND920-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VND920TR-E 意法半导体	完全替代	VND920-E和VND920TR-E的区别
VND920P-E 意法半导体	完全替代	VND920-E和VND920P-E的区别
VND920PTR-E 意法半导体	完全替代	VND920-E和VND920PTR-E的区别