VNP10N07参数规格_中文资料_数据手册PDF

VNP10N07概述

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制热关闭短路保护 ESD 保护一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

欧时:
STMicroelectronics VNP10N07, 单输出智能电源开关, OMNIFET：全自动保护功率 MOSFET, 10A, 70V, 3引脚

贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution N-Ch 70V 10A OmniFET

艾睿:
Power Switch Lo Side 7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

VNP10N07中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 10.0 A

输出接口数 1

输出电流 7 A

漏源极电阻 100 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

漏源击穿电压 70.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

输出电流Max 7 A

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VNP10N07引脚图与封装图

在线购买VNP10N07

型号： VNP10N07

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制热关闭短路保护 ESD 保护一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

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