VNN7NV04TR-E

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VNN7NV04TR-E概述

MOSFET N-Ch 40V 6A OmniFET

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 6A SOT-223


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223


贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 6A OmniFET


艾睿:
Power Switch Lo Side 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Power Switch Lo Side 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


VNN7NV04TR-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

供电电流 0.1 mA

漏源极电阻 60.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 7 W

漏源击穿电压 223 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

输出电流Max 6 A

输出电流Min 6 A

耗散功率Max 7000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: VNN7NV04TR-E
描述:MOSFET N-Ch 40V 6A OmniFET

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