VEC2616-TL-W-Z参数规格_中文资料_数据手册PDF

VEC2616-TL-W-Z概述

N+P 60V

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 3A，2.5A 1W 表面贴装型 SOT-28FL/VEC8

得捷:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

贸泽:
MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES

艾睿:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8

VEC2616-TL-W-Z中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 N+P

耗散功率 900 mW

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 ±60 V

输入电容Ciss 505pF @20VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VEC2616-TL-W-Z

型号： VEC2616-TL-W-Z

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：N+P 60V

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