VND830E

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VND830E概述

双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 6A 16-SO


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO


贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution DBLE CH HI-SIDE DRVR SIDE DRIVER


VND830E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 2

输出电流 9 A

耗散功率 8300 mW

输出电流Max 6 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压Max 36 V

电源电压Min 5.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

VND830E引脚图与封装图
VND830E引脚图
VND830E封装图
VND830E封装焊盘图
在线购买VND830E
型号: VND830E
描述:双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
替代型号VND830E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VND830E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

VND830E-E

意法半导体

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VND830E和VND830E-E的区别

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