VTD34H

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VTD34H中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 40 V

峰值波长 1100 nm

上升时间 50 ns

下降时间 50 ns

工作温度Max 80 ℃

工作温度Min -20 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DIP

外形尺寸

封装 DIP

物理参数

工作温度 -20℃ ~ 80℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VTD34H
型号: VTD34H
制造商: Excelitas
描述:Photodiode; 400-1150nm; λp max:900nm; 7.45mm²; 30nA; THT

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