VTP8350H

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VTP8350H概述

Photodiode; 400-1150nm; λp max:925nm; 7.45mm²; 30nA; THT

Photodiode 940nm 120° 2-DIP Module


得捷:
SENSOR PHOTODIODE 940NM 2DIP MOD


艾睿:
Photodiode Chip 1150nm 0.55A/W Sensitivity 2-Pin Case 11


Allied Electronics:
Planar silicon photodiode; two lead ceramic; coated with thick layer clear epoxy


TME:
Photodiode; 400-1150nm; λp max:925nm; 7.45mm2; 30nA; THT


Newark:
# EXCELITAS TECH  VTP8350H  Photodiode, 60 °, 30 nA, 925 nm, Radial Leaded-2


VTP8350H中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 140 V

波长 940 nm

视角 120°

峰值波长 1150 nm

工作温度Max 75 ℃

工作温度Min -20 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DIP-2

外形尺寸

封装 DIP-2

物理参数

工作温度 -20℃ ~ 75℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VTP8350H
型号: VTP8350H
制造商: Excelitas
描述:Photodiode; 400-1150nm; λp max:925nm; 7.45mm²; 30nA; THT

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