VMM650-01F参数规格_中文资料_数据手册PDF

VMM650-01F概述

Y3-Li N-CH 100V 680A

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 100V 680A 底座安装 Y3-Li

得捷:
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 680A Automotive 6-Pin Y3-Li

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 680A Automotive 6-Pin Y3-Li

VMM650-01F中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 680A

上升时间 250 ns

下降时间 200 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 6

封装 Y3-Li

外形尺寸

封装 Y3-Li

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VMM650-01F

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Y3-Li N-CH 100V 680A