晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V
P-Channel 100V 120mA Tj 360mW Ta Surface Mount TO-236AB SOT23
得捷:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
欧时:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -100
立创商城:
VP2110K1-G
贸泽:
MOSFET 100V 12Ohm
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
MOSFET; P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; -100V; 12 Ohm3 SOT-23T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 0.12A 3-Pin SOT-23
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 360mW; SOT23-3
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
额定功率 0.36 W
针脚数 3
漏源极电阻 9 Ω
极性 P-CH
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 0.12A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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