VP2110K1-G

VP2110K1-G图片1
VP2110K1-G图片2
VP2110K1-G图片3
VP2110K1-G图片4
VP2110K1-G图片5
VP2110K1-G图片6
VP2110K1-G图片7
VP2110K1-G图片8
VP2110K1-G图片9
VP2110K1-G图片10
VP2110K1-G图片11
VP2110K1-G图片12
VP2110K1-G图片13
VP2110K1-G图片14
VP2110K1-G图片15
VP2110K1-G概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V

P-Channel 100V 120mA Tj 360mW Ta Surface Mount TO-236AB SOT23


得捷:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB


欧时:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -100


立创商城:
VP2110K1-G


贸泽:
MOSFET 100V 12Ohm


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
MOSFET; P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; -100V; 12 Ohm3 SOT-23T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 0.12A 3-Pin SOT-23


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 360mW; SOT23-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3


VP2110K1-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.36 W

针脚数 3

漏源极电阻 9 Ω

极性 P-CH

耗散功率 360 mW

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 0.12A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

VP2110K1-G引脚图与封装图
VP2110K1-G引脚图
VP2110K1-G封装图
VP2110K1-G封装焊盘图
在线购买VP2110K1-G
型号: VP2110K1-G
制造商: Microchip 微芯
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V
替代型号VP2110K1-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VP2110K1-G

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

BSS123LT1G

安森美

功能相似

VP2110K1-G和BSS123LT1G的区别

BSS123-7-F

美台

功能相似

VP2110K1-G和BSS123-7-F的区别

2N7002-7-F

美台

功能相似

VP2110K1-G和2N7002-7-F的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台