VP0550N3-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

VP0550N3-G概述

TO-92P-CH 500V 0.054A

P-Channel 500V 54mA Tj 1W Tc Through Hole TO-92-3

得捷:
MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3

立创商城:
VP0550N3-G

贸泽:
MOSFET 500V 125Ohm

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.054A 3-Pin TO-92 Bag

Allied Electronics:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -500V, 125 Ohm3 TO-92 BAG

安富利:
Trans MOSFET P-CH 500V 0.054A 3-Pin TO-92

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -0.1A; 1W; TO92

Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.054A 3-Pin TO-92 Bag

VP0550N3-G中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1 W

通道数 1

漏源极电阻 125 Ω

极性 P-CH

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 0.054A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 70pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

VP0550N3-G引脚图与封装图

在线购买VP0550N3-G

型号： VP0550N3-G

制造商： Microchip 微芯

描述：TO-92P-CH 500V 0.054A

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