VP2206N2

VP2206N2图片1
VP2206N2图片2
VP2206N2图片3
VP2206N2图片4
VP2206N2图片5
VP2206N2图片6
VP2206N2图片7
VP2206N2图片8
VP2206N2概述

TO-39P-CH 60V 0.75A

As an alternative to traditional transistors, the power MOSFET from Technology can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 6000 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

VP2206N2中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.36 W

极性 P-CH

耗散功率 6 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.75A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 450pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360mW Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

VP2206N2引脚图与封装图
VP2206N2引脚图
VP2206N2封装图
VP2206N2封装焊盘图
在线购买VP2206N2
型号: VP2206N2
制造商: Microchip 微芯
描述:TO-39P-CH 60V 0.75A
替代型号VP2206N2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VP2206N2

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

2N7002K-7

美台

功能相似

VP2206N2和2N7002K-7的区别

2N6660

微芯

功能相似

VP2206N2和2N6660的区别

2N7002-TP

美微科

功能相似

VP2206N2和2N7002-TP的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台