VP0104N3-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

VP0104N3-G概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -250 mA, -40 V, 6 ohm, -10 V, -3.5 V

This power MOSFET from Technology can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

VP0104N3-G中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1 W

针脚数 3

漏源极电阻 6 Ω

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 60 pF

额定功率Max 1 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

VP0104N3-G引脚图与封装图

在线购买VP0104N3-G

型号： VP0104N3-G

制造商： Microchip 微芯

描述：晶体管, MOSFET, P沟道, -250 mA, -40 V, 6 ohm, -10 V, -3.5 V

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替代型号VP0104N3-G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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