VMO580-02F

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VMO580-02F概述

VMO 系列 单 N沟道 200 V 3.8 mOhm 210 ns ton HipPerFET 模块

底座安装 N 通道 200 V 580A(Tc) - Y3-Li


得捷:
MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this VMO580-02F power MOSFET from Ixys Corporation. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 580A Automotive 4-Pin Y3-Li


VMO580-02F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 580 A

极性 N-CH

耗散功率 -

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 580 A

上升时间 500 ns

下降时间 350 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 Y3-Li

外形尺寸

封装 Y3-Li

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VMO580-02F
型号: VMO580-02F
制造商: IXYS Semiconductor
描述:VMO 系列 单 N沟道 200 V 3.8 mOhm 210 ns ton HipPerFET 模块

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