VN2210N2参数规格_中文资料_数据手册PDF

VN2210N2概述

TO-39 N-CH 100V 1.7A

N-Channel 100V 1.7A Tj 360mW Tc Through Hole TO-39

得捷:
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39

立创商城:
VN2210N2

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag

Allied Electronics:
MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 100V, 0.35 Ohm3 TO-39 BAG

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 3-Pin TO-39

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 360mW; TO39

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag

VN2210N2中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.36 W

极性 N-CH

耗散功率 6 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 1.7A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 500pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360mW Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

VN2210N2引脚图与封装图

在线购买VN2210N2

型号： VN2210N2

描述：TO-39 N-CH 100V 1.7A

替代型号VN2210N2