VP2206N3-G-P003

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VP2206N3-G-P003概述

Trans MOSFET P-CH 60V 0.64A 3Pin TO-92 T/R

P-Channel 60V 640mA Tj 740mW Tc Through Hole TO-92-3


得捷:
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3


立创商城:
VP2206N3-G-P003


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 0.64A 3-Pin TO-92 T/R


Allied Electronics:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -60V, 0.9 Ohm3 TO-92 T/R


VP2206N3-G-P003中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 740mW Tc

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 450pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 740mW Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

VP2206N3-G-P003引脚图与封装图
VP2206N3-G-P003引脚图
VP2206N3-G-P003封装图
VP2206N3-G-P003封装焊盘图
在线购买VP2206N3-G-P003
型号: VP2206N3-G-P003
制造商: Microchip 微芯
描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.64A 3Pin TO-92 T/R
替代型号VP2206N3-G-P003
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VP2206N3-G-P003

Microchip 微芯

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