









Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 3Pin TO-92
N-Channel 100V 1.2A Tj 740mW Tc Through Hole TO-92-3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
立创商城:
VN2210N3-G
贸泽:
MOSFET 100V 0.35Ohm
艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Microchip Technology&s;s VN2210N3-G power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This device utilizes dmos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 100V, 0.35 Ohm3 TO-92 BAG
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 3-Pin TO-92
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 740mW; TO92
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
额定功率 0.74 W
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 500pF @25VVds
额定功率Max 740 mW
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 740mW Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VN2210N3-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002LT3G 安森美 | 功能相似 | VN2210N3-G和2N7002LT3G的区别 |
2N6660 微芯 | 功能相似 | VN2210N3-G和2N6660的区别 |