VN2210N3-G

VN2210N3-G图片1
VN2210N3-G图片2
VN2210N3-G图片3
VN2210N3-G图片4
VN2210N3-G图片5
VN2210N3-G图片6
VN2210N3-G图片7
VN2210N3-G图片8
VN2210N3-G图片9
VN2210N3-G图片10
VN2210N3-G概述

Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 3Pin TO-92

N-Channel 100V 1.2A Tj 740mW Tc Through Hole TO-92-3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3


立创商城:
VN2210N3-G


贸泽:
MOSFET 100V 0.35Ohm


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Microchip Technology&s;s VN2210N3-G power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This device utilizes dmos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 100V, 0.35 Ohm3 TO-92 BAG


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 3-Pin TO-92


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 740mW; TO92


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3


VN2210N3-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.74 W

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 500pF @25VVds

额定功率Max 740 mW

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 740mW Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

VN2210N3-G引脚图与封装图
VN2210N3-G引脚图
VN2210N3-G封装图
VN2210N3-G封装焊盘图
在线购买VN2210N3-G
型号: VN2210N3-G
制造商: Microchip 微芯
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 3Pin TO-92
替代型号VN2210N3-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VN2210N3-G

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

2N7002LT3G

安森美

功能相似

VN2210N3-G和2N7002LT3G的区别

2N6660

微芯

功能相似

VN2210N3-G和2N6660的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司