VP0109N3-G 袋装
Increase the current or voltage in your circuit with this power MOSFET from Technology. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes dmos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
额定功率 1 W
针脚数 3
漏源极电阻 6 Ω
极性 P-CH
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 90 V
连续漏极电流Ids 0.25A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 60 pF
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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