VN330SPTR-E

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VN330SPTR-E概述

STMicroelectronics智能高侧开关提供一个或多个通道 MOSFET 输出开关,用于驱动电感、电容和电阻负载。Multipower BCD 技术 0.5A 四个独立输出 电源电压范围:9.5 至 35V 内部电流限制 非耗散过电流保护 热关闭 带磁滞的欠压闭锁 针对欠压、过热和过电流的诊断输出 外部异步重置输入 针对过电流可预设延迟 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。

电源 IC,高侧电源开关,STMicroelectronics

高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作,它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路,用于诊断、保护和控制功能。

### 智能电源开关,STMicroelectronics


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10


立创商城:
VN330SPTR-E


欧时:
### 高侧驱动器四路智能电源开关,STMicroelectronics智能高侧开关提供一个或多个通道 MOSFET 输出开关,用于驱动电感、电容和电阻负载。Multipower BCD 技术 0.5A 四个独立输出 电源电压范围:9.5 至 35V 内部电流限制 非耗散过电流保护 热关闭 带磁滞的欠压闭锁 针对欠压、过热和过电流的诊断输出 外部异步重置输入 针对过电流可预设延迟 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。


贸泽:
门驱动器 QUAD HIGH SIDE


e络盟:
继电器驱动器, 10V至36V电源, 700mA输出, PowerSO-10


艾睿:
Reduce the risk of damage to your circuit with the use of this high side VN330SPTR-E power switch by STMicroelectronics. This charge controller has 4 outputs. It features 0.2Max Ohm switch on resistance. This device has a supply current of 6Max mA and a minimum output current of 0.7 A. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery.


安富利:
Power Switch Hi Side 0.7A 10-Pin10+2Tab PowerSO T/R


富昌:
VN330 系列 10 - 36 V 700 mA 200 mOhm 四 高边 固态 继电器 - SOIC10


Chip1Stop:
Power Switch Hi Side 0.7A 10-Pin10+2Tab PowerSO T/R


TME:
Driver; high-side switch; 700mA; Channels:4; PowerSO10; 10÷36V


Verical:
Current Limit SW 4-IN 4-OUT to 2.5A 12-Pin10+2Tab PowerSO T/R


儒卓力:
**4xHSS 320mOhm 36V PowerSO10 SMD **


Win Source:
IC SSR 36V SMART 10-POWERSOIC


DeviceMart:
IC SSR QUAD SMART 10-POWERSOIC


VN330SPTR-E中文资料参数规格
技术参数

工作电压 36.0V max

输出接口数 4

输出电流 700 mA

供电电流 6 mA

针脚数 10

输出电流Max 700 mA

输出电流Min 0.7 A

输入数 4

下降时间 20 µs

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 10V ~ 36V

电源电压Max 36 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PowerSO-10

外形尺寸

长度 7.6 mm

宽度 9.5 mm

高度 3.65 mm

封装 PowerSO-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VN330SPTR-E引脚图与封装图
VN330SPTR-E引脚图
VN330SPTR-E封装图
VN330SPTR-E封装焊盘图
在线购买VN330SPTR-E
型号: VN330SPTR-E
描述:STMicroelectronics 智能高侧开关提供一个或多个通道 MOSFET 输出开关,用于驱动电感、电容和电阻负载。 Multipower BCD 技术 0.5A 四个独立输出 电源电压范围:9.5 至 35V 内部电流限制 非耗散过电流保护 热关闭 带磁滞的欠压闭锁 针对欠压、过热和过电流的诊断输出 外部异步重置输入 针对过电流可预设延迟 ### 电源和负载开关,Toshiba 集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
替代型号VN330SPTR-E
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ST Microelectronics 意法半导体

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VN330SPTR-E和VN330SP-E的区别

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