VN750STR-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

VN750STR-E概述

高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 6A 8-SO

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution 36V 6A HIGH SIDE

艾睿:
Quad High Side Current Limiter

安富利:
MOSFET DRVR 6A 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin SO N T/R

Chip1Stop:
Power Switch Hi Side 6A Automotive 8-Pin SO N T/R

Win Source:
HIGH SIDE DRIVER

VN750STR-E中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

输出电流 6 A

耗散功率 4200 mW

输出电流Max 6 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 4200 mW

电源电压 13 V

电源电压Max 36 V

电源电压Min 5.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VN750STR-E

型号： VN750STR-E

描述：高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER

替代型号VN750STR-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VN750STR-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VN750S 意法半导体	类似代替	VN750STR-E和VN750S的区别
VN750S-E 意法半导体	类似代替	VN750STR-E和VN750S-E的区别
VN750S13TR 意法半导体	功能相似	VN750STR-E和VN750S13TR的区别