VNN3NV04TR-E

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VNN3NV04TR-E概述

岗AUTOPROTECTED功率MOSFET fully autoprotected Power MOSFET

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 3.5A SOT-223


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223


艾睿:
Linear current limitation


Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 3.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Power Switch Lo Side 3.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
IC MOSFET N-CH 40V 3.5A SOT223


VNN3NV04TR-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 3.5 A

供电电流 0.1 mA

漏源极电阻 120 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 7 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

输出电流Max 3.5 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNN3NV04TR-E
型号: VNN3NV04TR-E
描述:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET fully autoprotected Power MOSFET
替代型号VNN3NV04TR-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VNN3NV04TR-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

BSP78

英飞凌

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