VS-ETF150Y65U

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VS-ETF150Y65U中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

输入电容Cies 6.6nF @30V

额定功率Max 417 W

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 33

封装 EMIPAK-2B

外形尺寸

高度 12 mm

封装 EMIPAK-2B

物理参数

工作温度 175℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: VS-ETF150Y65U
描述:Igbt 650V 150A Emipak-2B

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