VNP10N07-E

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VNP10N07-E概述

STMICROELECTRONICS  VNP10N07-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹

### 智能电源开关,STMicroelectronics


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB


欧时:
STMicroelectronics VNP10N07-E, 单输出 智能电源开关, OMNIFET:全自动保护功率 MOSFET, 10A, 70V, 3引脚


立创商城:
VNP10N07-E


贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution N-Ch 70V 10A OmniFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


富昌:
VNP10N07 Series 18 V 10 A 100 mOhm Fully Autoprotected Power Mosfet - TO-220AB


Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 7A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Driver; low-side switch; 10A; 50W; Channels:1; TO220-3; 70V


Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  VNP10N07-E  MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**LSS 140mOhm 70V TO220-3 THT **


VNP10N07-E中文资料参数规格
技术参数

额定功率 50 W

输出接口数 1

输出电流 120 A

供电电流 0.25 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 70 V

漏源击穿电压 70.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

输入电压Max 18 V

输出电流Max 7 A

输入数 1

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

输入电压 18 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, 工业, Motor Drive & Control, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VNP10N07-E引脚图与封装图
VNP10N07-E引脚图
VNP10N07-E封装图
VNP10N07-E封装焊盘图
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型号: VNP10N07-E
描述:STMICROELECTRONICS  VNP10N07-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
替代型号VNP10N07-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VNP10N07-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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