STMICROELECTRONICS VNP10N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics
OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。
线性电流限制
热关闭
短路保护
ESD 保护
一体式夹
### 智能电源开关,STMicroelectronics
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
欧时:
STMicroelectronics VNP10N07-E, 单输出 智能电源开关, OMNIFET:全自动保护功率 MOSFET, 10A, 70V, 3引脚
立创商城:
VNP10N07-E
贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution N-Ch 70V 10A OmniFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
VNP10N07 Series 18 V 10 A 100 mOhm Fully Autoprotected Power Mosfet - TO-220AB
Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 7A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Driver; low-side switch; 10A; 50W; Channels:1; TO220-3; 70V
Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS VNP10N07-E MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**LSS 140mOhm 70V TO220-3 THT **
额定功率 50 W
输出接口数 1
输出电流 120 A
供电电流 0.25 mA
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 70 V
漏源击穿电压 70.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输入电压Max 18 V
输出电流Max 7 A
输入数 1
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
输入电压 18 V
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 工业, Motor Drive & Control, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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