VT6X12T2R

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VT6X12T2R概述

VMT NPN 50V 0.1A

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount VMT6


欧时:
NPN+NPN Amplification Transistor


得捷:
NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin VMT T/R


VT6X12T2R中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-6

外形尺寸

封装 SMD-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

VT6X12T2R引脚图与封装图
VT6X12T2R引脚图
VT6X12T2R封装图
VT6X12T2R封装焊盘图
在线购买VT6X12T2R
型号: VT6X12T2R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:VMT NPN 50V 0.1A
替代型号VT6X12T2R
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