VT6T12T2R

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VT6T12T2R概述

VMT PNP 50V 0.1A

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 50V 100mA 300MHz 150mW Surface Mount VMT6


欧时:
PNP+PNP Amplification Transistor


得捷:
TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 2-Pin VMN T/R


VT6T12T2R中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-6

外形尺寸

封装 SMD-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VT6T12T2R
型号: VT6T12T2R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:VMT PNP 50V 0.1A
替代型号VT6T12T2R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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