VTP8551H参数规格_中文资料_数据手册PDF

VTP8551H概述

Photodiode; 925nm; 400-1150nm; Mounting: THT; 30nA

Photodiode 925nm 100° 2-DIP Module

得捷:
SENSOR PHOTODIODE 925NM 2DIP MOD

艾睿:
VTP Process Photodiodes

TME:
Photodiode; 925nm; 400-1150nm; Mounting: THT; 30nA

VTP8551H中文资料参数规格

技术参数

波长 925 nm

视角 100°

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DIP-2

外形尺寸

封装 DIP-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VTP8551H

型号： VTP8551H

制造商： Excelitas

描述：Photodiode; 925nm; 400-1150nm; Mounting: THT; 30nA