VQ1001P-E3

VQ1001P-E3概述

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

MOSFET - 阵列 4 个 N 通道 30V 830mA 2W 通孔 14-DIP


得捷:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP


VQ1001P-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 110pF @15VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-14

外形尺寸

封装 DIP-14

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VQ1001P-E3
型号: VQ1001P-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

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