VQ1006P-E3

VQ1006P-E3概述

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

MOSFET - 阵列 4 个 N 通道 90V 400mA 2W 通孔 14-DIP


得捷:
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP


贸泽:
MOSFET Quad NCH 90V 4.5R


VQ1006P-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 90 V

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 PDIP-14

外形尺寸

长度 19.56 mm

宽度 7.87 mm

高度 4.45 mm

封装 PDIP-14

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VQ1006P-E3
型号: VQ1006P-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

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