VS-ETF150Y65N参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-ETF150Y65N概述

IGBT Modules 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge

IGBT Module NPT Half Bridge Inverter 650V 201A 600W Module

得捷:
IGBT MOD 650V 201A 600W

贸泽:
IGBT Modules 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge

VS-ETF150Y65N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 600 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 600 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

封装 EMIPAK-2B

外形尺寸

封装 EMIPAK-2B

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-ETF150Y65N

描述：IGBT Modules 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge