VMZ6.8N

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VMZ6.8N概述

VMZ6.8N 双管共阳极稳压二极管 6.8V 150mW/0.15WMD3/SOD923-6.8V marking/标记 6C 超小型模具类型

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 6.47V \---|--- 平均Typ.| 6.8V 最大max.| 7.14V 误差Tolerance| 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.5uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| • Silicon epitaxial planar. • Ultra small mold type. VMD3 • Composite type with two anode common elements. • High reliability. • Common anode Zener diode 描述与应用| •硅外延平面。 •超小型模具类型。 (VMD3) •复合型阳极有两个常见的元素。 •高可靠性。 •共阳极齐纳二极管


VMZ6.8N中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150 mW

稳压值 6.8 V

封装参数

封装 VMD-3

外形尺寸

封装 VMD-3

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VMZ6.8N
型号: VMZ6.8N
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:VMZ6.8N 双管共阳极稳压二极管 6.8V 150mW/0.15WMD3/SOD923-6.8V marking/标记 6C 超小型模具类型
替代型号VMZ6.8N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VMZ6.8N

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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罗姆半导体

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