VP0550N3-G P003

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VP0550N3-G P003中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

上升时间 15 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买VP0550N3-G P003
型号: VP0550N3-G P003
制造商: Microchip 微芯
描述:MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

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