VP0808B参数规格_中文资料_数据手册PDF

VP0808B概述

MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205

P-Channel 80V 880mA Ta 6.25W Ta Through Hole TO-39

得捷:
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39

贸泽:
MOSFET 80V 3A 6.25W

VP0808B中文资料参数规格

技术参数

额定电流 -280 mA

漏源极电阻 5.00 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 6.25W Ta

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 -80.0 V

栅源击穿电压 10.0 V

连续漏极电流Ids -3.00 A

输入电容Ciss 150pF @25VVds

耗散功率Max 6.25W Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

长度 8.51 mm

宽度 8.51 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-39-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

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型号： VP0808B

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205