V40DM120C-M3/I

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V40DM120C-M3/I概述

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay Semiconductor

Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。

专利 Trench 结构

提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率

高功率密度和低正向电压

### 特点

### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor


欧时:
Vishay 二极管 V40DM120C-M3/I 肖特基, Io=40A, Vrev=120V, 3引脚 TO-263AC封装


e络盟:
肖特基整流器, 120 V, 40 A, 双共阴极, TO-263AC, 3 引脚, 890 mV


V40DM120C-M3/I中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

正向电压 0.79 V

最大反向电压(Vrrm) 120 V

正向电流 40 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 250 A

正向电压Max 890 mV

正向电流Max 40 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 8.99 mm

高度 1.8 mm

封装 TO-263

其他

包装方式 Cut Tape CT

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买V40DM120C-M3/I
型号: V40DM120C-M3/I
制造商: VISHAY 威世
描述:TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

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