W180-51G

W180-51G图片1
W180-51G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.48 mm

封装 SOIC

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买W180-51G
型号: W180-51G
制造商: Cypress Semiconductor 赛普拉斯
描述:峰值抑制EMI解决方案 Peak Reducing EMI Solution
替代型号W180-51G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

W180-51G

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

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W180-51GT

赛普拉斯

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