TO-3PB N-CH 600V 23A
N-Channel 600V 23A Ta 2.5W Ta, 220W Tc Through Hole TO-3PB
得捷:
MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 23A 3-Pin3+Tab TO-3PB Tray
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin3+Tab TO-3PB
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 220W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 23A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 2200pF @30VVds
下降时间 84 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 220W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free