W947D6HBHX6E

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W947D6HBHX6E概述

DDR DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 166MHz 5ns 60-VFBGA 8x9


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA


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W947D6HBHX6E


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA


W947D6HBHX6E中文资料参数规格
技术参数

供电电流 50 mA

位数 16

存取时间Max 5ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买W947D6HBHX6E
型号: W947D6HBHX6E
描述:DDR DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60

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