W947D2HBJX5E

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W947D2HBJX5E概述

DDR DRAM, 4MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb(4M x 32) 并联 90-VFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA


立创商城:
W947D2HBJX5E


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 128M-Bit 4Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA


W947D2HBJX5E中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 5ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

W947D2HBJX5E引脚图与封装图
W947D2HBJX5E引脚图
W947D2HBJX5E封装图
W947D2HBJX5E封装焊盘图
在线购买W947D2HBJX5E
型号: W947D2HBJX5E
描述:DDR DRAM, 4MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90

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