W947D2HBJX6E

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W947D2HBJX6E概述

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90Pin VFBGA

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA


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W947D2HBJX6E


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 128M-Bit 4Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA


W947D2HBJX6E中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 6.5ns, 5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

高度 0.66 mm

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买W947D2HBJX6E
型号: W947D2HBJX6E
描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90Pin VFBGA

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