W9412G6KH-5I

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W9412G6KH-5I概述

DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

SDRAM - DDR Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II


欧时:
Winbond, W9412G6KH-5I


立创商城:
W9412G6KH 5I


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II


Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II


W9412G6KH-5I中文资料参数规格
技术参数

供电电流 120 mA

位数 16

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

引脚数 66

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买W9412G6KH-5I
型号: W9412G6KH-5I
描述:DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

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